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投稿时间:2021-04-02 修订日期:2021-04-02
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中文摘要: ZnO是第三代宽禁带半导体的代表性材料之一,广泛应用于光电子领域。对ZnO进行选择性掺杂能够实现对其性能的调控与优化。本文综述了掺杂ZnO在光催化、太阳能电池与显示面板领域的应用;重点介绍了掺杂元素的定性、定量表征方法,并系统分析了每种表征方法的优势和局限性;最后展望了ZnO掺杂技术与表征方法的发展前景。
Abstract:ZnO is one of the representative materials of the third-generation wide-bandgap semiconductors and is widely used in the optoelectronics field. Selective doping of ZnO can control and optimize its performance. This article reviews the application of doped ZnO in the fields of photocatalysis, solar cells and display screens, and focuses on the qualitative and quantitative characterization methods for doping elements, and systematically analyzes the advantages and disadvantages of each characterization methods, and finally looks forward to the development prospects of the doping technology and characterization methods of ZnO.
keywords: ZnO doping application characterization method
文章编号: 中图分类号: 文献标志码:
基金项目:矿冶科技集团有限公司青年科技创新基金项目
作者 | 单位 | |
赵明 | 矿冶科技集团有限公司 | zhaoming@bgrimm.com |
王俊萍 | 矿冶科技集团有限公司 | wjp_1026@163.com |
武慧敏 | 矿冶科技集团有限公司 | 55314581@qq.com |
王辉 | 矿冶科技集团有限公司 | wanglao_2@126.com |
赵伟光 | 矿冶科技集团有限公司 | zwg0079@163.com |
引用文本:
赵明,王俊萍,武慧敏,王辉,赵伟光.掺杂ZnO应用领域与表征方法研究进展[J].中国无机分析化学,2022,12(3):75-80.
ZHAO Ming,WANG Junping,WU Huimin,WANG Hui,Zhao Weiguang.Review of Application and Characterization Method of Doped ZnO[J].Chinese Journal of Inorganic Analytical Chemistry,2022,12(3):75-80.
赵明,王俊萍,武慧敏,王辉,赵伟光.掺杂ZnO应用领域与表征方法研究进展[J].中国无机分析化学,2022,12(3):75-80.
ZHAO Ming,WANG Junping,WU Huimin,WANG Hui,Zhao Weiguang.Review of Application and Characterization Method of Doped ZnO[J].Chinese Journal of Inorganic Analytical Chemistry,2022,12(3):75-80.